事關(guān)芯片制造，從8英寸到12英寸！f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

杭州日?qǐng)?bào)訊 從8英寸到12英寸，由西湖大學(xué)孵化而來(lái)的西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“西湖儀器”），又取得新突破。近日，西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。此前，西湖儀器已率先推出“8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備”，并于今年1月榮獲“國(guó)內(nèi)首臺(tái)（套）裝備”認(rèn)定。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙、更高的熔點(diǎn)、更高的電子遷移率以及更高的熱導(dǎo)率，能夠在高溫、高電壓條件下穩(wěn)定工作，已成為新能源和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵材料。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料擴(kuò)大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，可顯著提升芯片產(chǎn)量，同時(shí)降低單位芯片制造成本。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

西湖儀器的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)來(lái)自西湖大學(xué)納米光子學(xué)與儀器技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，其負(fù)責(zé)人是仇旻教授。憑借該團(tuán)隊(duì)在光電領(lǐng)域的長(zhǎng)期研發(fā)積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，西湖儀器成功開(kāi)發(fā)出一套全新的碳化硅激光剝離技術(shù)，利用碳化硅的透光性，將激光打在材料內(nèi)部形成數(shù)億個(gè)極細(xì)小的“爆破點(diǎn)”，實(shí)現(xiàn)薄片襯底從晶錠上剝離。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

“這些爆破點(diǎn)形成的改質(zhì)層，就像在碳化硅晶錠中制造了一層夾心餅干中的‘夾心’，餅干就能很容易分開(kāi)�！蔽骱䞍x器CEO劉東立表示。與傳統(tǒng)切割相比，激光剝離技術(shù)不僅定位精準(zhǔn)，加工均勻，而且出片速度大幅提升，材料損耗降低一半，適用于超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)�；慨a(chǎn)。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

2024年12月，國(guó)內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，在引領(lǐng)國(guó)際發(fā)展趨勢(shì)的同時(shí)，也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平和豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，西湖儀器以最快速度推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)

碳化硅時(shí)代也正在到來(lái)。據(jù)國(guó)際權(quán)威研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2027年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)67億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)33.5%。12英寸碳化硅襯底激光剝離設(shè)備的問(wèn)世，將進(jìn)一步助力碳化硅飛入尋常百姓家。f6v新江南網(wǎng)|江南區(qū)域知名綜合門(mén)戶網(wǎng)